“研究人员“延伸”2D材料改变技术的能力”

二维( 2d )材料-像单层原子一样薄-引起了科学家们灵活、弹性、独特的电子特征，这是2004年在石墨烯等材料上首次发现的。 其中一种材料特别容易受到拉伸和拉伸时的材料特性的影响。 预测在应用的应变下，它们不会在下一阶段导通，也不会在一瞬间光学变得不透明，而是在下一阶段经历一瞬间不同的超导。

目前，罗切斯特大学的研究人员利用晶体管级设备平台用新的方法将二维材料和氧化物材料结合起来，充分探索这些可变二维材料的功能，从而转换电子、光学、计算和许多其他技术。

我们正在开辟新的研究方向。 电气、计算机工程和物理学助理教授stephen wu说。 有很多具有各种特性的2d材料。 拉伸会引发各种各样的事件。

这个平台由wu实验室开发，配置和以前流传下来的晶体管很相似，可以把小小的2d材料堆积在铁电材料上。 作用类似于施加在铁电体上的电压-晶体管的第三端子，或者通过压电效应使二维材料的栅极变形并使其伸长。 相反，它可以引起相变，完全改变材料的行为习惯。 电压关闭后，材料被施加相反极性的电压，保持相位直到材料恢复到原来的相位。

吴先生说，二维压电技术的最终目的是采用以前无法控制的所有东西，例如这些材料的拓扑、超导、磁性和光学性质，现在只有拉伸才能控制芯片上的材料。

如果使用拓扑材料做这件事，可能会影响量子计算机。 或者，如果使用超导材料这样做，可能会影响超导电子产品。

在nature nanotechnology的论文中，吴和他的学生叙述了设备平台采用二维钼二碲( mote2)薄膜。 在拉伸和未拉伸的情况下，mote2从低电导率半导体材料变为高导电性半金属材料，并再次返回。

其工作方法就像场效应晶体管。 只需向第3个端子施加电压，mote2就会向一个方向延伸通电。 然后把它往另一个方向延伸，突然你有了一点电导率低的东西，吴说。

他补充说，这个过程在室温下工作，而且只需要很小的应变。 我们只要把mote2延长0.4%就能看到这些变化。

摩尔定律有名地预测，密集集成电路的晶体管数量约每两年增加一倍。

但是，随着技术接近以前流传的缩小晶体管尺寸的极限，在达到摩尔定律的终点时，吴实验室开发的技术在超过这些限制时可能会产生巨大的影响。 更强大、更高速的计算继续进行。

该wu的平台可能执行与晶体管相同的功能，功耗较低，因此不需要维持导电状态的电源。 另外，将电导率随施加在元件上的栅极电压而变化的陡峭斜率引起的电流泄漏抑制在最小限度。 这两个问题-高功耗和电流泄漏-都限制了以前流传的晶体管在纳米尺度上的性能。

这是第一次示威，吴补充说。 现在，由研究者决定其进展状况。

wu平台的一个特征是，其结构与以前流传的晶体管非常相似。 这是因为最终会更容易适应现在的电子设备。 但是，在平台达到这个阶段之前，还有越来越多的工作要做。 目前，在设备发生故障之前，设备只能在实验室运行70至100次。 其他非易失性存储器(如闪存)的耐用性要高得多，但其运行速度远远低于wu研究所开发的基于应变的设备的最终可能性。

你认为这是可以克服的挑战吗？ 当然，吴说他将和罗切斯特机械工程助理教授hesam askari一起处理这个问题，他也是该论文的共同作者。 当我们理解这个概念是如何发挥作用的时候，我们就能够处理这个材料工程问题。

他们还将研究在不破裂的情况下可以对各种二维材料施加多大的应变。 随着技术的飞速发展，弄清概念的最终局限性有助于指导研究者采用其他相变材料

吴先生在加州大学伯克利分校获得物理学博士学位，以前在阿尔贡国家实验室材料科学部博士后，进入罗切斯特大学，担任电气与计算机工程系助理教授。 年物理学科。

他从他实验室的本科生开始--arfan sewaket '； 19、他在夏天担任施乐研究员。 她帮助吴建立了临时实验室，然后最先尝试了设备概念，最先说明了其可行性。

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