“新材料的高导热性将创造节能装置”

布里斯托尔大学的研究人员成功地展示了手机、雷达、电动汽车等更安全高效的电子设备的新材料的高热传导性。

设备热成像仪和可靠性中心( cdtr )的martin kuball教授率领的团队发现，通过制造超纯氮化硼，可以首次解释其热导率。 其功率为550w / mk是铜的两倍。

这篇论文:通过控制硼同位素浓度调节六方氮化硼的导热系数，今天发表在communications physics上。

库巴教授这样解释道。

大部分半导体电子产品在采用时都会升温。 越热分解速度越快，性能也越差。 随着人们越来越依赖电子设备，寻找热传导性高的材料变得越来越重要，可以取出废热。

氮化硼是这样的材料，导热率为550 w / mk，预测是铜的两倍。 但是，迄今为止所有的测量结果都显示热传导率要低得多。 有趣的是，通过制作这个材料'； 超级& # 39； ，我们第一次能展示它非常高的热传导能力。

库鲁教授说，下一步是用氮化硼制造有源电子器件，并与其他半导体材料集成。

为了显示超纯氮化硼的潜力，我们现在有了在不久的将来可以用于制造高性能、高能效电子产品的材料。

这个发现的意义很重要。 当然，我们对电子产品的依赖只会随着手机的采用和电动汽车的使用而增加。 采用氮化硼等更有效的材料来满足这些诉求，将导致性能更好的移动通信互联网、更安全的运输、最终更少的发电厂。

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